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TCS5254是一款降压、恒流、高效率的高亮度LED驱动器。特别适合宽输入电压和宽负载范围的应用
TCS5104是一个恒频、电流型PWM降压LED驱动器,输出电流为2A,开关频率为1.0MHz。
TCS5585 是一种升压转换器,专为从单节锂电池驱动最多 10 个串联白炽 LED 而设计。
该系列升压转换器专为驱动最多10个白色LED或从单节锂离子电池输出高达40V电压而设计。
TCX5318是一款高效率、高精度的升压型大功率LED灯恒流驱动控制芯片。
TCS3533专为驱动需要V(AVDD)、V(ELVDD)和V(ELVSS)电压的AMOLED(主动矩阵有机发光二极管)显示屏而设计
该器件是一款专为中小型LCD偏置电源设计的高频升压转换器,可从双节镍氢/镍镉电池或单节锂离子电池中输出高达30V的电压。
TCS3358是一款专为中小型LCD偏置电源设计的高频升压转换器,可从双节镍氢/镍镉电池或单节锂离子电池中输出高达30V的电压。
TCS9435是一款采用SO-8封装的-30V P沟道功率MOSFET,具备低导通电阻和高电流处理能力,适用于便携设备电源管理。是一款采用SO-8封装的-30V P沟道功率MOSFET,具备低导通电阻和高电流处理能力,适用于便携设备电源管理。
TCS1223采用先进的沟槽技术,具有优异的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及在低至2.5V栅极电压下即可正常工作的特性。该器件适用于负载开关或PWM应用。
TCS1116采用先进的沟槽技术和设计,具有优异的RDS(ON)特性以及低栅极电荷,可广泛应用于多种场合。
TCS1568 是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了优异的RDSON和栅极电荷。
TCS1162是一款采用SOT23小封装的-60V P沟道功率MOSFET,额定电流-2A,脉冲电流可达-8A
TCS1042采用先进的沟槽技术,具有优异的导通电阻(RDS(ON)),该器件适用于负载开关或PWM应用。
TCS1440P01 采用先进的沟槽技术,具有优异的导通电阻和低栅极电荷特性,可广泛应用于多种场景。
TCS1540采用先进的沟槽技术,具有优异的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及在低至4.5V栅极电压下的工作性能。该器件适用于负载开关或PWM应用。
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